一 . 在鍍膜過程中，膜厚讀數有大的跳動
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 由于晶振片損壞，模式跳躍 | 1. 更換新的晶振片 |
| 2. 膜料應力大導致所鍍膜層從晶振片表面剝離，翹層。 | 2. 更換新的晶振片 |
| 3. 來自蒸發源（坩堝）的微顆?；颉盀R物”，“雜質”打擊到晶振片。 | 3. 鍍膜前對蒸發源的材料雜質徹底清理，預融時延長擋板打開時間。 |
| 4. 晶振片的基座（探頭帽）的表面有小顆?；蛴型鈦砦⒘＃ɑ徽＃?。 | 4. 弱酸清洗或拋光基座表面，安裝晶振片接觸底座。 |
| 5. 小塊材料落在晶振片上（晶振片一面是面向蒸發源的） | 5. 檢查晶振片表面有無顆粒雜質，用清潔的氣體吹凈 |
二 . 鍍膜過程中，在晶體壽命正常結束前，晶體停止振蕩
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 來自蒸發源的微粒或“濺料”“雜質”打擊晶體。 | 1. 鍍膜前對蒸發源的材料雜質徹底清理，預融時延長擋板打開時間。 |
| 2. 晶振片基座（探頭帽）上膜料厚積，掩蓋了晶振片露出的監測孔。 | 2. 弱酸清洗晶振片基座（探頭帽） |
| 3. 存在電路短路或開路 | 3. 用萬用表檢查傳感器電纜到膜厚儀中間，電纜松動，各連接件的接觸，接觸彈片，傳感器內部連接線以及饋入件的電連通。 |
| 4. 檢查由于高溫產生的電路短路或開路 | 4. 見上面 3 |
注意：晶體壽命與鍍膜過程中膜料，蒸發源的熱輻射，位置，以及殘留氣體的成分有很大關系。
三 . 晶體不振蕩或間歇振蕩（在真空或大氣中）
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 彈片與晶振片之間間歇接觸或接觸不良（接觸點氧化）。 | 1. 用萬用表檢查電連通情況，阻值應小于 1 歐姆，清洗彈片接觸點。 |
| 2. 彈片已經失去彈力，變形，或斷腳現象，以及彈片與陶瓷圈之間松動。 | 2. 將彈片扳彎角度大約 45 度，或者更換新的陶瓷三角片。 |
| 3. 來自蒸發源的 RF 干擾。 | 3. 檢查接地線，使用符合 RF 接地的接地銅帶，改變儀器與振蕩器的位置，遠離 RF 電源線，將儀器連接不同的供電電源。 |
| 4. 電纜 / 振蕩器沒有連接好，或者連接到錯誤的傳感器輸入端。 | 4. 檢查連接和與編程的傳感器參數相關的輸入是否正確。 |
備注：接觸彈片，陶瓷三角片（陶瓷底圈）使用約 4000 次，就要更換。不應等到斷腳，或者松動嚴重，陶瓷破損才更換。
四 . 晶體在真空中振蕩，但大氣中停止振蕩
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 晶振片接近于它的終止壽命；打開至空氣中導致膜層氧化，增大膜層的應力。 | 1. 更換新的晶振片 |
| 2. 破真空時，大量的潮氣聚積在晶振片表面，經過晶振片的冷卻水流量小或冷卻效果不好。 | 2. 在系統破真空前，延長冷卻時間；定期保養冷卻水管，弱酸或壓縮空氣疏通內壁水垢。 |
五 . 晶體中大氣中振蕩，但在真空中停止振蕩
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 該現象為探頭基座 ( 單探頭，多探頭一樣 ) 內部接觸彈片變形，斷裂，或者接觸不良，不是晶振片不良。 | 1. 檢查晶振片探頭接觸部位，更新或者用鑷子扳動，使之接觸良好。 |
| 2. 離子源中和未調節好，導致過量的帶電離子瞬間擊穿晶振片，在晶振片表面形成點擊花紋。 | 2. 調節中和器，使帶電離子充分被中和為分子。 |
六 . 熱不穩定性：膜厚讀數在蒸發源升溫過程中（通常導致膜厚讀數減?。┖徒K止鍍膜后（通常導致膜厚讀數增大）有大的變化
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 冷卻水不符合要求 / 冷卻水溫度過高 | 1. 檢查冷卻水流量，保持冷卻水溫度低于 25 度。 |
| 2. 過多熱量輸入晶振片 | 2. 來自蒸發源的熱輻射，移動傳感器遠離源，或使用高溫探頭，熱穩定性較好。 |
| 3. 晶振片沒有正確放置到基座上，底部有雜質顆粒或放置傾斜。 | 3. 清洗或拋光晶振片基座，清理底部殘留雜物。 |
| 4. 從冷卻水管到探頭部位的熱傳輸差 | 4. 打開真空連接法蘭，更換新的冷卻水管；如無新水管，在工藝允許的情況下，冷卻水管與晶振探頭之間用單層鋁箔包住，起到隔熱效果。 |
| 5. 晶振片被高能電子束擊加熱 | 5. 使用高溫晶振片探頭。 |
七 . 膜厚的再現性差
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 可變的離子源束流分布 | 1. 移動晶控探頭至更接近中心位置，更可靠的取樣 ( 鍍粒 ) |
| 2. 掃描束斑，坩堝位置，可能從上次的鍍膜后電子束與坩堝位置已變 | 2. 位置不變的掃描頻率，手動調節光斑位置，檢查坩堝位置是否正確。 |
| 3. 膜料不能吸附在晶振片上 | 3. 確保晶振片表面清潔，避免手指接觸，使中間有附層。 |
| 4. 鍍膜速率周期性變化 | 4. 檢查功率和速率是否匹配，材料是否有雜質。 |
八 . 終止鍍膜后，膜厚有大的偏離（密度為 5g/ml 時大于 200 埃）
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 由于熱接觸差，晶體被加熱 | 1. 清洗或拋光晶振片基座表面 |
| 2. 外磁場干擾傳感器的磁場，如離子源 | 2. 旋轉傳感器磁場至正確位置的方位盡量遠離磁場 |
| 3. 晶振片子鍍膜過程中出現了負跳現象 | 3. 更換新的晶振片 |
九 . 雙晶體或多晶體轉換問題（不轉換或不對準孔徑中心）
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 無氣源，或氣動壓力不足 | 1. 將供氣壓力調整于 80-90PSIG |
| 2. 鍍膜材料聚集在蓋上，使操作受阻 | 2. 按保養要求清除聚集材料 |
| 3. 準直不正確 ( 主要為多探頭 ) | 3. 重新準直 |
| 4. 0.0225’直徑小孔未安裝于電磁閥的供氣一側 ( 主要為多探頭 ) | 4. 安裝小孔，按多探頭安裝說明書重新安裝 |
十 . 晶體安裝，讀數始終不變，鍍膜過程中不下降，不提示
| 原因分析 | 解決方法 |
| 1. 探頭連接斷路 | 1. 用萬用表測量 , 振蕩器前端電壓值根據說明書量得 3.3V,4.7V 或 5.3V；振蕩器到探頭部分量電阻，應小于 1 歐姆。 |
| 2. 振蕩器損壞 | 2. 更換新的振蕩器 |
| 3. 晶控系統故障 | 3. 關閉電源，重啟電腦和膜厚控制儀；若不能解決，重新安裝系統驅動 |
CN 
